本申请提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器系统，该制作方法包括：在衬底上形成介质层和多个间隔设置的第一浅隔离槽，衬底包括第一区域和第二区域，介质层填充第一浅隔离槽，第一浅隔离槽位于第一区域中，相邻两个第一浅隔离槽之间的衬底形成鳍部；形成第一开口和至少两个第二开口，第一开口暴露出鳍部的顶端，第二开口贯穿第二区域上的介质层；形成第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构包裹顶端，第二栅极结构位于相邻两个第二开口之间的介质层上；通过第二开口，在第二区域中形成源极和漏极，从而能简化半导体器件的制作工艺，降低工艺成本。