半导体器件的制作方法、半导体器件以及三维存储器
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种半导体器件的制作方法、半导体器件以及三维存储器，该方法包括：在衬底上依次形成叠置的堆叠结构以及第一介质层，堆叠结构包括本体结构以及位于本体结构中的刻蚀停止部，本体结构包括沿远离衬底的方向交替叠置的第一绝缘层以及牺牲层；去除部分的第一介质层、部分的本体结构以及刻蚀停止部，形成位于第一介质层中和堆叠结构中的第一开口；在第一开口中形成填充部，得到存储阵列结构；依次去除存储阵列结构的衬底以及部分的堆叠结构，在堆叠结构中形成第二开口，第二开口贯穿至填充部；去除填充部，得到栅极线狭缝。本申请较好地缓解了现有技术中3D NAND层数较多时刻蚀形成GL难度较大的问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制作方法、半导体器件以及三维存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551466A
申请号 ：
CN202210163882.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孔翠翠张坤吴林春周文犀
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
霍文娟
优先权 ：
CN202210163882.8
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11582 H01L29/423
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1157
申请日 : 20220222
申请日 : 20220222
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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