半导体存储器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体存储器件，包括一半导体基板，其具有一存储区以及位于所述存储区周围的一外围区、位线结构，位在所述半导体基板之上并往第一方向延伸经过所述存储区与所述外围区、间隔物结构，位在所述位线结构之间、存储节点接触结构，位于所述存储区中的所述间隔物结构与所述位线结构所界定出的空间中并与所述半导体基板连接、以及牺牲层，位于所述外围区中的所述间隔物结构与所述位线结构所界定出的空间中，其实用新型特点在于器件的存储单元区与外围区具有同样的单元设置，可以解决图形密度不同所导致的微负载效应问题并让出更多的存储单元区域。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021152466.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-19
授权号 ：
CN212182325U
授权日 ：
2020-12-18
发明人 ：
张钦福林昭雄朱家仪童宇诚赖惠先
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN202021152466.0
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2020-12-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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