动态随机存储器及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种动态随机存储器及其制造方法，涉及存储器技术领域，该动态随机存储器包括基底以及设置在基底上连接垫和电容器，其中，电容器包括第一电极层，第一电极层具有向基底延伸的延伸部，延伸部包覆在所述连接垫的顶面及侧面。本发明提供的延伸部能够同时包覆在连接垫的顶面和侧面，增加第一电极层与连接垫的接触面积，降低第一电极层与连接垫之间的接触电阻，进而减小动态随机存储器的信号延迟，提高了动态随机存储器的性能，此外，延伸部还可以增加电容孔与连接垫之间的作用力，降低了后续的制作工艺中出现电容器坍塌的风险。
基本信息
专利标题 ：
动态随机存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267676A
申请号 ：
CN202010974516.1
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李森宛强刘涛徐朋辉
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟秀娟
优先权 ：
CN202010974516.1
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20200916
申请日 : 20200916
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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