半导体结构及动态随机存储器

授权

摘要

本实用新型提供一种半导体结构及动态随机存储器，所述制备方法包括如下步骤：在衬底上形成沟槽；在沟槽中形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层至少覆盖所述沟槽内侧壁，所述栅极绝缘层的内侧壁由上部内侧壁及下部内侧壁组成；在栅极绝缘层内形成导电层，所述导电层填满所述所述栅极绝缘层下部内侧壁对应的沟槽区域，所述栅极绝缘层及所述导电层形成所述埋入式栅极；在栅极绝缘层上形成绝缘补偿层，所述绝缘补偿层覆盖所述栅极绝缘层的上部内侧壁；在所述沟槽内形成介电层，所述介电层至少覆盖所述导电层的顶面及所述绝缘补偿层的内侧壁。本实用新型利用绝缘补偿层增加栅极绝缘层的厚度，从而避免栅极漏电流的产生，提高器件的稳定性。

基本信息

专利标题：

半导体结构及动态随机存储器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921431962.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-08-30

授权号：

CN210272358U

授权日：

2020-04-07

发明人：

冯大伟

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

孙佳胤

优先权：

CN201921431962.7

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108 H01L29/423 H01L21/28 H01L21/8242