动态随机存取存储器的电容器接点结构

专利权的终止

摘要

一种电容器接点结构，适用于动态随机存取存储器的存储单元阵列区，此存储单元阵列区配置于基底上，且位于基底中的掺杂带上，此电容器接点结构包括闲置电容器与接触窗。其中，闲置电容器配置于基底的第一沟渠中，且第一沟渠底部暴露出部分掺杂带。闲置电容器包括第一下电极、第一介电层与第一上电极。第一下电极沿着第一沟渠内面配置，且电性连接掺杂带。第一介电层配置于第一下电极与第一沟渠的侧壁之间。第一上电极则配置于第一下电极上，且填满第一沟渠。接触窗配置于闲置电容器上，藉此电性连接掺杂带。

基本信息

专利标题：

动态随机存取存储器的电容器接点结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620121277.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-07-27

授权号：

CN2935476Y

授权日：

2007-08-15

发明人：

苏怡男杨进盛

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200620121277.0

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108