动态随机存取存储器结构及其制备方法

专利权的终止

摘要

一种具有直立式浮动本体存储单元之动态随机存取存储器结构，其包含具有多个圆柱体之半导体基板、设置于该圆柱体顶部之上导电区、设置于该上导电区下方之圆柱体内的本体、设置于该本体下方之圆柱体内的下导电区、环绕该圆柱体之侧壁的栅氧化层以及环绕于该栅氧化层表面之栅极结构。该上导电区作为漏极，该下导电区作为源极，且该本体可储存载流子。较佳地，该动态随机存取存储器结构另包含设置于该基板表面之导电层，且该下导电区与该导电层相连接。

基本信息

专利标题：

动态随机存取存储器结构及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101017826A

申请号：

CN200610003461.X

公开（公告）日：

2007-08-15

申请日：

2006-02-09

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王廷熏

申请人：

茂德科技股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹市科学工业园区力行路十九号三楼

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

王昕

优先权：

CN200610003461.X

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108 H01L29/78 H01L21/8242 H01L21/336