三维存储器结构及其制备方法
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摘要
本发明提供一种三维存储器结构及其制备方法，该三维存储器结构包括外围电路芯片；存储阵列芯片，与所述外围电路芯片键合，所述存储阵列芯片包括栅极堆叠结构，所述栅极堆叠结构具有核心区域和台阶区域，所述栅极堆叠结构包括靠近所述外围电路芯片的第一栅极堆叠结构和远离所述外围电路芯片的第二栅极堆叠结构；第一多级台阶结构，形成于所述第一栅极堆叠结构的台阶区域中，所述第一多级台阶结构的台面朝向所述外围电路芯片；第二多级台阶结构，形成于所述第二栅极堆叠结构的台阶区域中，所述第二多级台阶结构的台面背离所述外围电路芯片。通过在存储阵列芯片的台阶区域的正面和背面各形成部分台阶的形成，可减小台阶区所占面积，提高存储密度。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112185981A
申请号 ：
CN202011058962.4
公开（公告）日 ：
2021-01-05
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
CN112185981B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
肖亮
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
高园园
优先权 ：
CN202011058962.4
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11573 H01L27/11582
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法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-01-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1157
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2021-01-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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