快闪存储器结构及其制备方法

专利权的终止

摘要

本发明的快闪存储器结构包含一具有一V型凹槽的基板、一设置于该基板中的第一掺杂区、二个设置于该V型凹槽两侧的基板中的第二掺杂区、一设置于该基板表面的介电堆叠结构以及一设置于该V型凹槽上方的介电堆叠结构表面的导电层，其中介电堆叠结构具有多个捕捉位置夹置于其中。该V型凹槽的制备方法包含形成一屏蔽层于该基板表面、形成一开口于该屏蔽层中、蚀刻该开口下方的基板以形成该V型凹槽以及去除该屏蔽层。优选地该基板可为硅基板，该V型凹槽具有一斜面位于该硅基板的(111)结晶面，且该硅基板的(100)结晶面朝向下方。

基本信息

专利标题：

快闪存储器结构及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1956217A

申请号：

CN200510118410.7

公开（公告）日：

2007-05-02

申请日：

2005-10-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈世芳高建纲

申请人：

茂德科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510118410.7

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L27/105 H01L21/336 H01L21/8239