三维存储器结构及其制备方法

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摘要

本发明提供一种三维存储器结构及其制备方法，制备包括：在半导体衬底上形成叠层结构，叠层结构包括核心区域及台阶区域，刻蚀台阶区域以形成N个子台阶区，且各所述子台阶区环绕一台阶中心布置，N个子台阶区形成M级数台阶，N和M均为大于等于3的整数，另外，台阶区域中还形成有桥接区。本发明的三维存储器结构及其制备方法，可以将台阶区域做成至少三个分区的台阶，且台阶可以做成圆形台阶，在每一圈台阶上对应不同的分区，利用台阶的设计在不同的分区做台阶接触孔；通过绕台阶中心环绕布置的子台阶区，有利于应力分散；另外，还可以在台阶刻蚀中有效形成桥结区实现台阶区域与核心区域的电连接。

基本信息

专利标题：

三维存储器结构及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112563284A

申请号：

CN202011203181.X

公开（公告）日：

2021-03-26

申请日：

2020-11-02

授权号：

CN112563284B

授权日：

2022-05-17

发明人：

张坤孔翠翠张中周文犀吴林春

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

代理机构：

北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

高园园

优先权：

CN202011203181.X

主分类号：

H01L27/11565

IPC分类号：

H01L27/11565 H01L27/1157 H01L27/11582