埋入式字线结构及其制备方法、动态随机存储器
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种埋入式字线结构及其制备方法、动态随机存储器。该埋入式字线结构包括：半导体基底、字线沟槽和字线结构。其中，半导体基底设有有源区和浅沟槽，所述浅沟槽将所述有源区隔离。字线沟槽沿第一方向穿过所述有源区。字线结构设于所述字线沟槽中。所述字线结构包括：高介电常数介电层，覆盖于所述字线沟槽的内表面上；多晶硅层，覆盖于所述高介电常数介电层上；功函数层，覆盖于所述多晶硅层上；字线金属层，填充于所述功函数层的远离所述多晶硅层的一侧。本发明的埋入式字线结构可以有效地减少栅极诱导漏电，并显著降低功耗。
基本信息
专利标题 ：
埋入式字线结构及其制备方法、动态随机存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388505A
申请号 ：
CN202011151832.5
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陆勇沈宏坤吴公一
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN202011151832.5
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20201022
申请日 : 20201022
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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