动态随机存取存储结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要

一种动态随机存取存储器及其形成方法,其中,方法包括:提供衬底,所述衬底具有相对的第一面和第二面,所述衬底包括相互分立的若干有源区,所述有源区在第一方向上延伸,所述有源区包括若干相互独立且沿第一方向排列的沟道区;在每个有源区内形成若干字线栅结构,每个字线栅结构与1个沟道区邻接,所述若干字线栅结构沿第二方向贯穿所述有源区,所述第二方向垂直于所述第一方向;形成若干字线栅结构之后,在所述第一面形成第一器件层;在所述第一器件层上形成第一介电层;在所述第一介电层内形成若干应力调节结构;形成所述若干应力调节结构后,在所述第二面形成第二器件层。从而,减少了动态随机存取存储器的翘曲,提高了存储器可靠性。

基本信息
专利标题 :
动态随机存取存储结构及其形成方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114429958A
申请号 :
CN202210109331.3
公开(公告)日 :
2022-05-03
申请日 :
2022-01-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
华文宇张帜
申请人 :
芯盟科技有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
徐文欣
优先权 :
CN202210109331.3
主分类号 :
H01L27/108
IPC分类号 :
H01L27/108  H01L21/8242  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20220128
2022-05-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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