本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供一基底，基底包括存储区域，存储区域包括衬底、导电层、以及位于导电层上的第一掩模层；图案化第一掩模层，形成呈第一阵列排布的多个第一点状图案；回填第一掩模层，形成覆盖第一掩模层的第二掩模层；图案化第二掩模层，形成呈第二阵列排布的多个第二点状图案，在沿垂直于衬底的方向上，一个第二点状图案的投影位于相邻的两个第一点状图案之间；以第一点状图案和第二点状图案共同作为掩模图案刻蚀导电层，形成多个相互独立的导电点状图案。本发明能够同时确保存储区域的图案和外围区域的图案的粗糙度满足工艺要求，实现对半导体结构制造良率的提高。