半导体结构及其形成方法
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摘要
一种半导体结构及其形成方法，其中，结构包括：第一衬底，包括若干第一有源区和若干第二有源区；位于第一衬底内的多个字线栅结构，多个字线栅结构贯穿第一有源区和第二有源区；位于第一有源区内的多个第一有效掺杂区和多个第一无效掺杂区；位于第二有源区内的多个第二有效掺杂区和多个第二无效掺杂区，所述第一有效掺杂区和第二无效掺杂区间隔排列，所述第二有效掺杂区和第一无效掺杂区间隔排列；位于第一有源区和第二有源区内的多个第三掺杂区；位于每个第一有效掺杂区上的第一导电结构；若干第一位线；位于每个第二有效掺杂区上的第二导电结构；若干第二位线。通过所述半导体结构，能够使存储器的集成度高且制造工艺难度小。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112951828A
申请号 ：
CN202110374506.9
公开（公告）日 ：
2021-06-11
申请日 ：
2021-04-07
授权号 ：
CN112951828B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
华文宇余兴
申请人 ：
芯盟科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202110374506.9
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-07-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20210407
申请日 : 20210407
2021-06-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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