半导体器件、半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种半导体器件、半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供衬底，并在衬底上形成牺牲层；对牺牲层进行图案化处理，以在牺牲层中形成并排分布的沟槽及通孔；形成覆盖沟槽侧壁及通孔侧壁的绝缘层；在沟槽及通孔内依次形成导电层和钝化层，以在沟槽内形成位线结构；去除位于通孔内的钝化层，以在通孔内形成电容接触结构。本公开的半导体结构的形成方法可避免结构异常，提高器件良率。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件、半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373755A
申请号 ：
CN202011103875.6
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2020-10-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴秉桓
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN202011103875.6
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20201015
申请日 : 20201015
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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