半导体结构及半导体结构的形成方法

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摘要

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，衬底包括若干有源区和若干隔离区；位于衬底内的若干第一凹槽，第一凹槽贯穿有源区和隔离区；位于第一凹槽侧壁表面的第一字线栅结构、第二字线栅结构、第一连接栅和第二连接栅；位于第一凹槽内的介质层；位于隔离区上介质层内的第二凹槽和第三凹槽，第三凹槽沿第二方向上的中轴线与第二凹槽的中轴线不重合；位于第二凹槽内的第一隔离结构；位于第三凹槽内的第二隔离结构；位于第二连接栅上的第一连接板，第一连接板通过第二连接栅与第一字线栅结构电连接；位于第一连接栅上的第二连接板，第二连接板通过第一连接栅与第二字线栅结构电连接。所述半导体结构的性能得到提升。

基本信息

专利标题：

半导体结构及半导体结构的形成方法

专利标题（英）：

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公开（公告）号：

CN114023743A

申请号：

CN202210004023.4

公开（公告）日：

2022-02-08

申请日：

2022-01-05

授权号：

CN114023743B

授权日：

2022-04-22

发明人：

刘藩东华文宇崔胜奇徐文祥宋冬门

申请人：

芯盟科技有限公司

申请人地址：

浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

朱得菊

优先权：

CN202210004023.4

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108 H01L29/06 H01L21/8242