半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法，包括：在基底上形成若干下电极，所述下电极包括沿垂直所述基底表面方向延伸的环状壁和瓣状壁，并且所述瓣状壁将所述环状壁内部分割成若干分立的第一开口；在所述第一开口的底部和侧壁上形成介电层；在所述第一开口中形成上电极，所述介电层位于所述下电极和所述上电极之间。本发明的下电极包括环状壁和瓣状壁，使得下电极的表面积增大，后续在下电极上形成介电层和相应的上电极时，介电层和上电极的表面积也会相应的增大，从而增大了形成的半导体结构的电容值。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334832A
申请号 ：
CN202011047212.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡建城
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN202011047212.7
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20200929
申请日 : 20200929
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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