半导体结构及其形成方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明是关于一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构，包括：一第一栅极结构，其侧壁上形成有至少一第一间隔物，位于一半导体基底上；一第二栅极结构，其侧壁上形成有至少一第一间隔物，位于一半导体基底上，该第二栅极结构是邻近于该第一栅极结构；以及一含氮蚀刻停止层，形成于该第一与第二栅极结构上以及该半导体基底上，其中形成于该第一与第二栅极结构上的该含氮蚀刻停止层具有大体相同于形成于该半导体基底上的该含氮蚀刻停止层的一厚度，以改善后续形成于该第一与第二栅极结构间的该含氮蚀刻停止层上的一膜层的步阶覆盖情形。本发明所述半导体结构及其形成方法，可避免由于具非固定厚度的蚀刻停止层而生成孔洞的情形。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1897280A
申请号 ：
CN200610007871.1
公开（公告）日 ：
2007-01-17
申请日 ：
2006-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
廖忠志李资良
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610007871.1
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L21/8232
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2009-02-11 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-03-14 ：
实质审查的生效
2007-01-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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