一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成分立的核心层，在第二方向相邻核心层相对的侧壁分别为第一侧壁和第二侧壁；在核心层侧壁形成牺牲侧墙；在相邻牺牲侧墙之间的部分基底上形成牺牲层；在基底上形成填充层；去除牺牲层形成开口；去除牺牲侧墙形成沟槽；在沟槽侧壁形成掩膜侧墙，还填充于核心层侧壁与填充层之间，沟槽侧壁的掩膜侧墙围成第一凹槽；形成第二凹槽，贯穿位于沟槽侧壁和第二侧壁的掩膜侧墙之间的填充层；去除核心层形成第三凹槽；第三凹槽、第二凹槽与第一凹槽的至少一个中形成有分割层，沿第一方向分割对应的凹槽；刻蚀第三凹槽、第二凹槽与第一凹槽下方目标层形成目标图形。本发明实施例提高目标图形的图形精度。