半导体结构及其形成方法

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摘要

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；位于基底内的体区和漂移区；栅极结构，位于基底上且横跨覆盖部分体区和部分漂移区；源区，位于体区内且紧挨栅极结构；漏区，位于漂移区内；硅化物阻挡层，保形覆盖栅极结构靠近漏区一侧的侧壁和部分顶部以及栅极结构和漏区之间的基底顶部；层间介质层，覆盖栅极结构和硅化物阻挡层；第一导电插塞，贯穿层间介质层且电连接栅极结构，第一导电插塞还覆盖位于栅极结构上以及位于栅极结构一侧部分基底上的硅化物阻挡层；第二导电插塞，贯穿层间介质层且电连接漏区，且还覆盖位于漏区一侧的部分硅化物阻挡层。本发明通过第一导电插塞和第二导电插塞，降低了整体电场峰值，改善LDMOS晶体管的品质因数。

基本信息

专利标题：

半导体结构及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111755417A

申请号：

CN201910236678.2

公开（公告）日：

2020-10-09

申请日：

2019-03-27

授权号：

CN111755417B

授权日：

2022-04-12

发明人：

张进书李茂王刚宁

申请人：

中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号

代理机构：

上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

高静

优先权：

CN201910236678.2

主分类号：

H01L23/528

IPC分类号：

H01L23/528 H01L21/768 H01L23/367 H01L29/78 H01L21/336