半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底；若干第一栅极结构和若干第一源漏掺杂层，第一栅极结构位于衬底上，第一源漏掺杂层分别位于第一栅极结构两侧的衬底内；位于第一源漏掺杂层上的第一导电结构，第一导电结构的顶部表面高于第一栅极结构的顶部表面；位于第一导电结构的顶部表面上的第一保护层。由于第一保护层是通过处理金属形成的金属化合物，具有很好的致密性，能够很好的将第一导电结构的顶部表面与空气进行隔离，避免了第一导电结构被空气中的水分腐蚀而造成表面凹凸不平的问题，进而使得后续形成的第一导电插塞能够与第一导电结构紧密连接，有效降低第一导电插塞与第一导电结构之间的接触电阻，进而提升最终形成的半导体结构的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497213A
申请号 ：
CN202011150284.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张海洋郑二虎陈卓凡肖杏宇
申请人 ：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202011150284.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L23/528 H01L21/768 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20201023
申请日 : 20201023
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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