半导体结构的形成方法
公开
摘要
一种半导体结构的形成方法，包括形成鳍状结构于基板上，其中鳍状结构包括基底层、隔离层位于基底层上、与多个通道层与多个第一牺牲层交错的堆叠位于隔离层上。方法还包括形成隔离结构以与鳍状结构的侧壁相邻，其中隔离结构的上表面高于隔离层的下表面并低于隔离层的上表面。方法还包括沉积第二牺牲层于隔离结构上与鳍状结构的侧壁上；蚀刻第二牺牲层与鳍状结构，以形成两个源极/漏极沟槽，其中源极/漏极沟槽露出基底层；经由源极/漏极沟槽部分地移除第一牺牲层与第二牺牲层以形成多个间隙；以及沉积介电间隔物于间隙中。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334821A
申请号 ：
CN202110855917.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-07-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谌俊元苏焕杰庄正吉王志豪
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202110855917.X
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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