半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域环绕于所述第二区域的侧部，所述基底包括图形材料层和分立于所述图形材料层上的第一核心层；在所述第二区域的所述第一核心层的侧壁上形成侧核心层，所述第一核心层和所述侧核心层作为第二核心层；在所述第一核心层和第二核心层的侧壁上形成侧墙层；去除所述第一核心层和第二核心层；以所述侧墙层为掩膜刻蚀所述图形材料层形成目标图形。本申请实施例在保证第一区域的目标图形的横向间隔不变的情况下，仅扩大被第一区域环绕的第二区域的目标图形的横向间隔，能够满足目标图形多样化横向间隔的要求，有利于提高半导体结构的电学性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334817A
申请号 ：
CN202011065275.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈卓凡
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
代理机构 ：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
吴凡
优先权 ：
CN202011065275.5
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088 H01L21/033 H01L21/027
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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