形成半导体结构的方法
授权
摘要
本发明是有关于一种形成半导体结构的方法，是用来改善闸极控制与末端覆盖结构，此方法包括以下步骤。一闸极介电层在具有一主动区的基材上形成。一闸电极层在闸极介电层上形成。一第一光阻在闸电极层上形成。闸电极层与闸极介电层随后被蚀刻以形成闸极结构与空置图案。第一光阻随后被移除。一第二光阻形成用以覆盖闸极结构。未受第二光阻保护的空置图案被移除。第二光阻其后亦被移除。通过本发明MOS元件的关键尺寸得以控制。而桥接与线末缩短效应得以免除。由于对元件设计尺寸的正确掌握，在不需要复杂调整技术如光学近接校正(OPC)的情况下，N/P ratio得以控制。故整体晶片速度与效能皆改善。
基本信息
专利标题 ：
形成半导体结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812062A
申请号 ：
CN200510131807.X
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庄学理郑光茗
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200510131807.X
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/8232
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-01-21 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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