半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部结构；在所述鳍部结构表面形成栅介质膜；在所述衬底上和所述栅介质膜表面形成保护膜；在所述保护膜表面形成栅电极材料层；刻蚀部分所述栅电极材料层，直至暴露出所述保护膜表面，在所述保护膜上形成若干相互分立的栅电极，所述栅电极横跨所述鳍部结构。从而，提高了半导体结构的性能和可靠性，并降低形成半导体结构的工艺难度。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497216A
申请号 ：
CN202011257823.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑二虎
申请人 ：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202011257823.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20201111
申请日 : 20201111
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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