半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：第一器件结构，包括第一衬底、以及形成于第一衬底上的第一器件，第一器件包括位于第一衬底上的第一沟道层结构、横跨第一沟道层结构的第一器件栅极结构、以及位于第一器件栅极结构两侧的第一沟道层结构内的第一源漏掺杂区；位于第一器件结构正面的第二器件结构，包括位于第一器件结构上的第二衬底、以及形成于第二衬底上的第二器件，第二器件包括位于第二衬底上的第二沟道层结构、横跨第二沟道层结构的第二器件栅极结构、以及位于第二器件栅极结构两侧的第二沟道层结构内的第二源漏掺杂区；第二沟道层结构和第一沟道层结构在第一衬底上的投影非垂直相交。本发明能够实现第一器件的电性引出。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388501A
申请号 ：
CN202011133059.X
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金吉松
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
代理机构 ：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
高静
优先权 ：
CN202011133059.X
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L21/8238
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/092
申请日 : 20201021
申请日 : 20201021
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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