一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底包括相邻的第一区域和第二区域，第一区域和第二区域上形成有堆叠结构，第一区域、第二区域的堆叠结构以及衬底构成第一开口；在第一开口底面和侧壁形成第一介电层，第一介电层之间具有第二开口；在第二开口中形成第二介电层；形成源漏掺杂层；去除源漏掺杂层和第二介电层之间的第一介电层，形成露出源漏掺杂层中靠近第二介电层的侧壁的凹槽；在凹槽中形成接触插塞。本申请实施例所述接触插塞与源漏掺杂层的顶面、以及源漏掺杂层靠近所述第二介电层的侧壁和远离所述第二介电层的侧壁接触，接触插塞和源漏掺杂层的接触电阻较小，使得半导体结构的电学性能好。