半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一区域和第二区域，基底包括衬底和位于衬底上的多个鳍部，鳍部包括第一防穿通层、位于第一防穿通层上的第二防穿通层以及位于第二防穿通层上的第一沟道层，第一防穿通层中掺杂有第一型离子，第二防穿通层中掺杂有第二型离子；在鳍部露出的衬底上形成隔离材料层；去除第一区域的第二防穿通层和第一沟道层，形成凹槽；在凹槽中形成第二沟道层。在半导体结构工作时，第一防穿通层降低了第一区域的源极和漏极穿通的概率，第二防穿通层降低了第二区域的源极和漏极穿通的概率，有利于提高半导体结构的电学性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334825A
申请号 ：
CN202011061104.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵海
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
代理机构 ：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
吴凡
优先权 ：
CN202011061104.5
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L27/092 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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