半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底表面依次交替堆叠有第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层和所述第二半导体层被介电墙分隔成第一鳍片和第二鳍片；刻蚀第一鳍片的第二半导体层和第二鳍片的第一半导体层的两侧壁，形成凹进部；在所述第一鳍片的第一半导体层、侧墙的侧壁形成第一介质层，在所述第二鳍片的第二半导体层、侧墙的侧壁形成第二介质层；在所述第一介质层和所述第二介质层表面形成第三介质层，所述第三介质层的顶面和所述伪栅结构的顶面共面；去除所述伪栅结构；以及，去除所述第一鳍片的第二半导体层和所述第二鳍片的第一半导体层。本申请技术方案的半导体结构及其形成方法，可以形成Forksheet器件。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388441A
申请号 ：
CN202011117439.4
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张海洋王艳良苏博
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京市一法律师事务所
代理人 ：
刘荣娟
优先权 ：
CN202011117439.4
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20201019
申请日 : 20201019
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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