半导体结构及其形成方法
公开
摘要
一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，包括用于形成第一器件的第一器件区和用于形成第二器件的第二器件区，第一器件的沟道长度大于第二器件的沟道长度；多晶硅栅极层，位于第一器件区的基底上，包括底部栅极层和凸出于底部栅极层的顶部栅极层，顶部栅极层和底部栅极层围成凹槽，顶部栅极层和底部栅极层中均掺杂有导电离子；金属栅极层，位于第二器件区的基底上；层间介质层，位于多晶硅栅极层和金属栅极层侧部的基底上并填充于凹槽中。本发明通过顶部栅极层，改善多晶硅栅极层的顶面凹陷问题，且通过使顶部栅极层和底部栅极层中均掺杂有导电离子，以减小多晶硅栅极层的栅极电阻，综上，多晶硅栅极层的性能得到提升。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597206A
申请号 ：
CN202011392467.7
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡巧明马丽莎
申请人 ：
中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号9幢
代理机构 ：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
高静
优先权 ：
CN202011392467.7
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L21/8238
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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