本申请提供半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供衬底，衬底表面形成有分立的堆叠层，堆叠层表面包括第一掩膜，堆叠层包括依次交替分布的沟道层和牺牲层；在第一掩膜和堆叠层的侧壁形成第一介质层；去除第一掩膜，形成第一开口；在第一介质层表面、第一开口的侧壁和底面形成第二介质层，第二介质层具有第二开口，且第二开口位于堆叠层上方；沿第二开口刻蚀第二介质层、堆叠层至暴露衬底，使堆叠层形成分立的第一鳍片和第二鳍片；在第一鳍片和第二鳍片之间填充第三介质层，且第三介质层与第一鳍片、第二鳍片的顶面共面。本申请技术方案提供的半导体结构的形成方法，能够有效地制作出Forksheet器件的介电墙，且工艺过程简单、易实现。