一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：介电墙，贯穿所述第一区域和第二区域交界处的所述第一沟道层和第一栅极，阻断墙，位于所述介电墙顶部横向的一端，且所述阻断墙在所述衬底上的投影位于所述介电墙在所述衬底上的投影中，第二栅极位于所述阻断墙侧部的所述第一栅极和介电墙上，且露出所述阻断墙的顶部，从而阻断墙在电隔离所述第二栅极的同时，使得占据的半导体结构的平面面积较小，使得所述半导体结构的集成度较高。此外，因为阻断墙位于所述介电墙的顶部，在半导体结构工作时，所述阻断墙与所述沟道的距离较远，阻断墙不易对沟道产生应力，使得沟道中载流子的迁移速率易满足工艺需求，有利于提高半导体结构的电学性能。