半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，衬底表面形成有堆叠层，堆叠层表面包括掩膜层，堆叠层包括依次交替分布的沟道层和牺牲层；刻蚀掩膜层、堆叠层，形成分立的第一鳍片和第二鳍片；在第一鳍片和第二鳍片间填充第一介质层，在第一鳍片和第二鳍片侧壁形成第二介质层；回刻蚀第一介质层，至第一介质层表面低于堆叠层的顶部，形成第一开口；刻蚀第一开口侧壁的堆叠层和掩膜层，形成第二开口；在第二开口中填充第三介质层，第一介质层和第三介质层构成第一鳍片和第二鳍片间的介电墙。本申请技术方案能够增大Forksheet器件在N型器件和P型器件图形化时的工艺窗口。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388442A
申请号 ：
CN202011118118.6
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩秋华纪世良
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京市一法律师事务所
代理人 ：
刘荣娟
优先权 ：
CN202011118118.6
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20201019
申请日 : 20201019
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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