一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括初始衬底，基底包括第一区域和第二区域；刻蚀第一区域的初始衬底，形成第一鳍部；形成保形覆盖第一鳍部的第一保护层；形成第一保护层后，刻蚀第二区域的初始衬底，形成第二鳍部；形成保形覆盖第二鳍部的第二保护层。本申请实施例，以垂直于第二鳍部的延伸方向为横向，使得第二鳍部的横向尺寸不易减小，后续形成横跨第二鳍部的栅极结构，被栅极结构覆盖的第二鳍部作为沟道区，在半导体结构工作时，沟道中载流子的迁移速率易达到设计要求；此外，第二鳍部不易发生位错，所述第二鳍部的形成质量较高，有利于提高半导体结构的电学性能。