形成半导体结构的方法以及半导体结构
专利权的终止
摘要
一种在半导体衬底中蚀刻深沟槽的方法，所述方法包括以下步骤：(a)在所述半导体衬底的顶部上形成硬掩膜层，(b)在所述硬掩膜层中蚀刻硬掩膜开口，以使所述半导体衬底通过所述硬掩膜层开口暴露于空气中，其中所述蚀刻所述硬掩膜开口的步骤包括蚀刻所述硬掩膜开口的底部部分的步骤，以使所述硬掩膜开口的所述底部部分的侧壁基本上垂直，以及(c)通过所述硬掩膜开口在所述衬底中蚀刻深沟槽。
基本信息
专利标题 ：
形成半导体结构的方法以及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828842A
申请号 ：
CN200510112744.3
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2005-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·M·尚克J·A·特拉帕索Y·L·尼诺米亚J·马林J·克莱因D·丹格B·W·波思M·D·拉格奎斯特
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于静
优先权 ：
CN200510112744.3
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2020-10-02 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/3065
申请日 : 20051012
授权公告日 : 20080514
终止日期 : 20191012
申请日 : 20051012
授权公告日 : 20080514
终止日期 : 20191012
2017-11-24 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/3065
登记生效日 : 20171106
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约
登记生效日 : 20171106
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约
2017-11-24 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/3065
登记生效日 : 20171106
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛
登记生效日 : 20171106
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛
2008-05-14 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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