一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；形成沿第一方向延伸的核心层；在核心层的侧壁上形成掩膜侧墙；形成沿第二方向延伸的第一分割层，与掩膜侧墙沿第一方向的侧壁相接触；形成沿第二方向与核心层间隔排列的牺牲层，覆盖掩膜侧墙沿第一方向的侧壁，沿第一方向牺牲层凸出于第一分割层的两侧且覆盖第一分割层的部分侧壁；在牺牲层、核心层、掩膜侧墙和第一分割层露出的基底上形成平坦层；去除牺牲层形成第一凹槽，沿第一方向第一凹槽被第一分割层分割；去除核心层形成第二凹槽；以掩膜侧墙、第一分割层和平坦层为掩膜，图形化第一凹槽和第二凹槽下方的目标层，形成目标图形。本发明实施例有利于提高目标图形的图形精度和图形质量。