半导体结构的形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底内具有第一互连结构，且所述衬底表面暴露出所述第一互连结构表面；在所述衬底表面形成若干层重叠的复合介质结构，每层复合介质结构包括第一介质层以及位于第一介质层表面的第二介质层；在所述复合介质结构内形成位于第一互连结构表面的初始第二互连结构；在形成所述初始第二互连结构后，对至少1层第一介质层进行修复处理，以使所述第一介质层内释放朝向所述初始第二互连结构的应力；在所述修复处理后，平坦化所述初始第二互连结构，直至暴露出与衬底表面之间的间距最小的复合介质结构表面，形成第二互连结构。从而，提高了半导体结构的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334798A
申请号 ：
CN202011056510.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴佳宏荆学珍张浩
申请人 ：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202011056510.2
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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