一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，衬底包括基底和器件结构；位于器件结构上的导电层；位于导电层上的复合层，复合层包括第一膜层；位于衬底上的介质层，介质层内具有第一开口；位于第一膜层内的第二开口，第二开口的侧壁相对于第一开口的侧壁凹陷；位于第一开口和第二开口内的导电插塞。通过第二开口的侧壁相对于第一开口的侧壁凹陷，在平坦化处理形成导电插塞的过程中，能够有效增加平坦化处理溶液的流经路径，进而减小平坦化处理溶液对导电层的刻蚀损伤；另外，还可以使得导电插塞在第二开口内的生长受到限制，进而使得导电插塞在第二开口形成的结构更为致密，进一步的减小平坦化处理溶液流向导电层造成损伤。