半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。其中在钨层与焊盘金属层之间形成有过渡层，所述过渡层贴附在钨层的上表面，所述焊盘金属层贴附在过渡层的上表面。过渡层在钨层和焊盘金属层之间起到了过渡作用，可降低较粗糙的钨层表面对焊盘金属层的形貌影响，优化位于钨层上的焊盘金属层的表面形貌，有助于降低后续封测过程的难度，提高封测准确性。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420669A
申请号 ：
CN202111493632.2
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李振亚王鹏方玉娇李昕
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
田婷
优先权 ：
CN202111493632.2
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768 H01L27/146
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20211208
申请日 : 20211208
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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