半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成底部电极层；在所述底部电极层上形成界面缓冲层，且所述界面缓冲层与所述底部电极层在同一制作设备中进行；在所述界面缓冲层上形成电介质层。所述方法形成方法半导体结构的性能较好。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496976A
申请号 ：
CN202011263281.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汪昌州
申请人 ：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202011263281.1
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L49/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20201112
申请日 : 20201112
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
