半导体结构及其形成方法
授权
摘要
本发明提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包含：一第一层间介电层，覆盖一基底；一第一金属层；多个第二层间介电层，覆盖该第一层间介电层；以及多个第二金属层，每一第二金属层覆盖第二层间介电层其中之一。不烘烤该第一层间介电层，其中该第一层间介电层具有一k值约介于2.5至3.0之间，一孔洞尺寸约小于10，以及一硬度约大于1.5Gpa。烘烤第二层间介电层，因此该第二层间介电层具有一k值约小于2.5，一孔洞尺寸约大于10，以及一硬度约小于1.5Gpa。此半导体结构减少等离子烘烤时的等离子电荷损害。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790661A
申请号 ：
CN200510109276.4
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-10-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴振诚陈盈淙陈笔聪卢永诚
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510109276.4
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/522
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2008-03-12 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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