半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底；沟道结构，分立于器件区的衬底上；电源轨道线，位于电源轨道区的衬底中；栅极结构，横跨沟道结构；源漏掺杂区，位于栅极结构两侧的沟道结构中；层间介质层，位于栅极结构的侧部；电源轨接触插塞，贯穿电源轨道线顶部的部分厚度层间介质层，沿纵向电源轨接触插塞与电源轨道线的顶面全接触；源漏接触层，位于层间介质层中且与源漏掺杂区相接触，在与衬底平行的投影面上源漏接触层横跨电源轨道线。沿纵向电源轨接触插塞与电源轨道线的顶面全接触，增大了电源轨接触插塞沿纵向的尺寸、以及电源轨接触插塞与电源轨道线的接触面积，有利于减小电源轨接触插塞的电阻以及与电源轨道线的接触电阻。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512453A
申请号 ：
CN202011289258.X
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金吉松苏柏青亚伯拉罕·庾
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
代理机构 ：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
高静
优先权 ：
CN202011289258.X
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L23/528 H01L27/088 H01L21/8234 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/48
申请日 : 20201117
申请日 : 20201117
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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