半导体结构的形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成牺牲结构；在所述牺牲结构侧壁表面和顶部表面形成隔离介质层；在所述衬底上形成第一外延层，所述第一外延层暴露出部分所述隔离介质层的顶部及侧壁表面，且在暴露出的所述隔离介质层表面形成第二外延层；对所述第一外延层以及第二外延层进行改性处理，在所述第一外延层的表面形成第一牺牲层，并将所述第二外延层转化为第二牺牲层；在形成第一牺牲层以及第二牺牲层后，对所述第一外延层进行离子注入；对所述第一外延层进行离子注入后，去除所述第一牺牲层、第二牺牲层以及隔离介质层。所述半导体结构的形成方法提升了器件的电学性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284136A
申请号 ：
CN202111554731.7
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁金娥冯秦旭林建树邢中豪
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
唐嘉
优先权 ：
CN202111554731.7
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/265
申请日 : 20211217
申请日 : 20211217
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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