一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括第一区和环绕所述第一区的第二区，所述第二区的顶部表面低于所述第一区的顶部表面；在所述待刻蚀层上形成第一图形材料层；向所述第一图形材料层表面注入第一离子，使位于所述第二区上的第一图形材料层脱落，至少部分脱落的第一图形材料层黏附至所述待刻蚀层表面形成残留物；清洗去除所述残留物，使位于所述第二区表面黏附不牢的第一图形材料层在后续工艺进行前脱离并去除，避免影响后续的刻蚀工艺过程，降低了位于晶圆边缘的待刻蚀层高度差对后续图形定义中刻蚀过程的影响，提高了图形定义的准确度，从而提高了器件的性能。