半导体结构的形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有图形传递材料层；在图形传递材料层上形成掩膜层，掩膜层内形成有贯穿掩膜层的开口；在开口的侧壁形成侧墙层；以侧墙层为掩膜，对开口底部的图形传递材料层进行第一离子注入，向图形传递材料层中注入目标离子，形成贯穿图形传递材料层的图形层，其中，目标离子用于提高材料传递层和图形层之间的刻蚀选择比；形成图形层后，去除掩膜层和侧墙层。本发明通过在开口形成侧墙层，在沿图形层厚度的方向上，易于使图形层各位置处的目标离子浓度均满足工艺需求，同时，改善目标离子在靠近开口底部位置处横向扩散严重的问题，从而有利于提高图形层的侧壁垂直度和线宽精度，进而提高图形传递的精度。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496738A
申请号 ：
CN202011269206.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵猛
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
代理机构 ：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
高静
优先权 ：
CN202011269206.6
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/033 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/027
申请日 : 20201113
申请日 : 20201113
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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