一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括相邻的器件区和伪图形区，器件区基底上有器件掩膜侧墙，伪图形区基底上有伪掩膜侧墙；在基底上形成填充层，覆盖器件掩膜侧墙和伪掩膜侧墙；在伪图形区中，刻蚀填充层和部分高度的伪掩膜侧墙，形成剩余伪掩膜侧墙，剩余伪掩膜侧墙和填充层围成沟槽；在沟槽侧壁形成侧壁保护层；刻蚀去除剩余伪掩膜侧墙；去除侧壁保护层；去除填充层；以器件掩膜侧墙为掩膜刻蚀基底。本发明通过两次刻蚀步骤去除伪掩膜侧墙，且在形成侧壁保护层之后，进行第二次刻蚀步骤，在侧壁保护层的保护作用下，降低器件掩膜侧墙被误刻蚀的概率，使得器件掩膜侧墙具有较低的线宽粗糙度，从而提高半导体结构的性能。