半导体结构的形成方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供了一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供基底；在所述基底上形成图形化的阻挡层，所述阻挡层覆盖所述第二沟槽区和隔离区，暴露所述第一沟槽区；形成图形化的第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露所述第一沟槽区的基底，以及所述第二沟槽区和所述隔离区的阻挡层；以所述阻挡层和所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第一沟槽；形成覆盖所述第一沟槽和所述隔离区，且暴露所述第二沟槽区的第二掩膜层；以所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第二沟槽。所述方法降低了半导体结构形成工艺的工艺复杂度和工艺精度。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496734A
申请号 ：
CN202011153434.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐锦心王楠
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
代理机构 ：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王立娜
优先权 ：
CN202011153434.7
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/027
申请日 : 20201026
申请日 : 20201026
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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