半导体结构的形成方法
授权
摘要
提供一种半导体结构的形成方法。此方法包括：形成材料层于基底上方，以及形成辅助层于材料层上方。此辅助层包含：聚合物主链(backbone)、与聚合物主链键合的酸不稳定基团(acid labile group，ALG)、以及与聚合物主链键合的浮动基团(floating group)。此浮动基团包含氟化碳(CxFy)。此方法也包括形成阻抗层于辅助层上方，以及图案化阻抗层。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109801839A
申请号 ：
CN201811268522.4
公开（公告）日 ：
2019-05-24
申请日 ：
2018-10-29
授权号 ：
CN109801839B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
訾安仁张庆裕林进祥
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
向勇
优先权 ：
CN201811268522.4
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2019-06-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/027
申请日 : 20181029
申请日 : 20181029
2019-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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