一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括第一区域和位于所述第一区域之间的第二区域；在所述基底上，形成图形定义层；在所述图形定义层上形成分立的掩膜层，所述掩膜层和基底围成开口，所述第一区域的所述开口作为第一开口，所述第二区域的所述开口作为第二开口；在所述第二开口中形成填充层；以所述掩膜层和填充层为掩膜刻蚀所述第一开口露出的所述图形定义层，形成目标图形。本申请实施例，在第二区域的所述掩膜层之间形成填充层，获得最终刻蚀所述图形定义层的掩膜，使得形成的目标图形满足工艺需求，有利于提高半导体结构的电学性能。