一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成图形记忆层，图形记忆层开设有延伸方向互相平行的第一沟槽，第二沟槽和第三沟槽，第一沟槽，第二沟槽以及第三沟槽采用不同的光罩形成；形成核心材料层，核心材料层填充第一沟槽，第二沟槽以及第三沟槽；图形化核心材料层，形成核心层，核心层开设有隔离开口；填充隔离开口形成隔离层，隔离层的顶部与核心层的顶部齐平；去除核心层，形成第四沟槽，第四沟槽对应金属互连层。由于多道第一沟槽，第二沟槽以及第三沟槽的切断可以在同一工艺步骤完成，方法即使在图形尺寸接近设备参数极限的情况下，也能够实现后端加工工艺中对更小尺寸的图形的加工。